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991.
脱硫扒渣站的建成,既解放了炼铁厂的高炉,又减轻了炼钢厂转炉冶炼的负担,同时可以实现铁水预脱硫→顶底复吹转炉炼钢→钢水二次精炼→连铸这一炼钢四位一体的现代化生产工艺流程,从而生产有市场竞争力的产品.镁基脱硫剂是世界上冶金企业采用最先进的脱硫剂,脱硫技术和设备也是世界上最先进的. 相似文献
992.
993.
基于HOP的可调光编码/解码器的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种基于全息光处理器的可调光编码/解码器的实现方案。全息光处理器可以在空间进行编/解码,每个通信网络单元可以采用任意速率的数字或模拟的调制信号,它非常适合于多媒体的通信网络环境,通过对全息光处理器的折射率大小和位置的控制,当一个输入光脉冲经过光处理器中具有特定折射率的空间位置后,便可在处理器的输出端口得到合适的输出信号。本文给出了这种基于全息光处理器的可调光编码/解码器的仿真实验,结果是可行的,与以前文献中提出的结构相比,减小了硬件实现的复杂性,降低了成本和功耗,便于集成。 相似文献
994.
等离子体氧化nc-Si/SiO_2多层膜的蓝光发射 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中用交替淀积 a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了 a-Si∶H/ Si O2 多层膜。随着 a-Si∶H子层的厚度从 3 .8nm减小到 1 .5 nm,a-Si∶H/ Si O2 多层膜的光吸收边和光致发光 (PL )出现了蓝移。在晶化的 a-Si∶ H/ Si O2 多层膜中不仅观察到室温下的红光带 (80 0nm)的发光峰 ,而且还观察到蓝光发射 (4 2 5 nm) ,结合 Raman,TEM和 PL测试 ,对其原因作了简单的分析 相似文献
995.
一、引言TRIM是一个相当成熟的解二维非线性静磁问题的计算程序,它在束流光学系统设计中起着越来越重要的作用。最原始的TRIM程序是A.M.Winslow(Lawrence Radi-ation Laboratory,Livermore,California)编写的,后来又经多次修改扩充,并能运行在CDC-6600,IBM-360等中型计算机上。近年来,微型计算机的应用有了很大的发展,IBM-PC/XT或其兼容机在国内已相当普及。在微型机上运行应用软件会更有利于软件的 相似文献
996.
997.
998.
受约束且TCP友好的拥塞控制研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种使用RTP/RTCP来收集信息的TCP友好的流控算法。当前的多媒体源对发送速率能够调整的粒度和上下限都有要求。本文提出的算法不仅满足了流控算法的TCP友好(TCP-friendly)的特性,还考虑了多媒体源的这些限制。提出的流控算法能够调整的步长是阶梯的。最后还对TCP友好的流控算法和它的约束算法进行了仿真,并分析了结果。 相似文献
999.
Nucleation kinetics during the growth of InxGa1−xN on a GaN substrate have been studied. The behavior of nonequilibrium between the InxGa1−xN and the GaN substrate has been analyzed, and hence, the expression derived for the stress-induced supercooling/superheating
has been numerically evaluated. The maximum amount of stress-induced supercooling is found to be 1.017 K at x=0.12. These
values are incorporated in the classical heterogeneous nucleation theory. Using the regular solution model, the interfacial
tension between the nucleus and substrate and, hence, the interfacial tension between nucleus and mother phase and thermodynamical
potential of the compounds have been calculated. The amount of driving force available for the nucleation has been determined
for different compositions and degrees of supercooling. It has been shown that the value of the interaction parameter of InN-GaN
plays a dominant role in nucleation and growth kinetics of InxGa1−xN on a GaN substrate. These values have been used to evaluate the nucleation parameters. It is shown that the nucleation barrier
for the formation of a InxGa1−xN nucleus on a GaN substrate is minimum in the range of x=0.12 to x=0.17, and it has been qualitatively proved that good quality
InxGa1−xN on GaN can be grown only in the range 0<x≤0.2. 相似文献
1000.